مطالعه ساختار نوار و مدهای نقص نقطه ای در بلورهای فونونی دوبعدی

پایان نامه
چکیده

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود آورد که به آنها مدهای نقص گفته می شود. با پیدایش این مدهای مربوط به نقص، می توان امواج مکانیکی را در فضا جایگزیده نمود که این عمل می تواند کاربردهای متعددی داشته باشد. نظر به اهمیت وجود نقص در بلورهای فونونی، در این پایان نامه ضمن بهره گیری از روش بسط موج تخت برای ساختارهای دارای نقص، اقدام به معرفی و پیاده سازی روش ابرسلول مبتنی بر روش بسط موج تخت می نماییم. نتایج محاسبات مربوط به روش ابرسلول ما را قادر می سازد تا بتوانیم موقعیت فرکانسی مدهای نقص و نحوه جایگزیدگی مدهای نقص ناشی از وجود انواع نقص های نقطه ای (از نظر اندازه و تعداد) در یک بلور فونونی دو بعدی با شبکه مربعی را مطالعه کنیم. در این پایان نامه بلور فونونی به صورت میله های استوانه ای نیکلی که در آرایش مربعی دو بعدی در زمینه ای از آلومینیوم قرار گرفته اند ، در نظر گرفته شده است. برای ایجاد نقص ابتدا شعاع یکی از میله ها را تغییر می دهیم سپس یکی از میله ها را حذف می کنیم و پس از آن شکل یکی از میله ها را به مستطیلی تبدیل می نماییم (1l) و در ادامه اقدام به تغییر شعاع سه میله وسپس حذف سه میله (3l) می نماییم و در هر حالت موقعیت فرکانسی مدهای نقص ایجاد شده در داخل منطقه ممنوعه فرکانسی و نحوه جایگزیدگی آنها را حول موقعیت نقص بررسی می کنیم. نتایج محاسبات عددی و مقایسه شکل های توزیع شدت صوت نشان می دهد که تعداد، فرکانس و موقعیت مدهای نقص ایجاد شده در داخل نوار ممنوعه بلور فونونی، تحت تاثیر مستقیم پارامترهای فیزیکی نقص از قبیل: اندازه، تعداد و شکل آنها می باشد. با ایجاد نقص خطی در این بلورها (تغییر جنس یک ردیف از میله ها) می توان برای امواج مکانیکی مانند صوت، موجبرهای فونونی طراحی کرد. چنین سیستم هایی می توانند برای عبور امواج آکوستیکی از طریق نوار عبور بسیار باریک در داخل یک گاف عریض به کار برده شوند. مدهای عبوری می توانند بوسیله انتخاب مناسب شعاع داخلی استوانه های توخالی تشکیل دهنده بلور یا جنس مایع پرکننده لوله های توخالی تنظیم شوند.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مدهای فونونی نوری در بلور BaWO4

با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO4 به‌دست آمده‌اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به‌دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه‌ای C4h، مدهای فونونی برحسب گونه‌های تقارنی ...

متن کامل

مطالعه ی خواص مدهای نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

در این پایان نامه، مدهای الکترومغناطیسی جایگزیده در بلورهای فوتونیکی یک بعدی با یک لایه نقص ساختاری مورد بررسی قرار گرفته است. نقش لایه نقص را بلور مایع نماتیک بازی می کند. نشان داده شده است که طیف تراگسیلی و ضریب میرایی مدهای نقص به ضخامت و جهت گیری محور اپتیکی بلور مایع نماتیک وابسته است. در ادامه طیف تراگسیلی با دو نقص شبکه ای را مورد مطالعه قرار می دهیم. در این تحقیق نشان داده شده است که می...

15 صفحه اول

محاسبه ساختار نواری، ضرایب جذب و تراگسیل بلورهای فونونی یک- و دو-بعدی

در این مقاله، ما انتشار امواج صوتی در بلورهای فونونی یک-بعدی و دو-بعدی را بررسی کرده‌ایم. بلورهای فونونی متشکل از ردیف‌های مربعی شامل استوانه‌های مملو از فلزات گروه سوم جدول تناوبی برای مثال آلومنیوم و نیکل در زمینۀ هوا و اپوکسی می­باشند. ابتدا با استفاده از روش بسط امواج تخت ساختار نواری این بلورها را محاسبه نمودیم، سپس ضرایب جذب و تراگسیل و بعلاوه توزیع فشار در آن‌ها را تعیین کردیم. اندازه اب...

متن کامل

مدهای فونونی نوری در بلور bawo۴

با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای مؤثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور bawo4 به دست آمده اند. اختلاف زیاد بارهای مؤثر بورن به دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه ای c4h، مدهای فونونی برحسب گونه های تقارنی ...

متن کامل

مدهای فونونی در ترکیب ابررسانای Gd1-xCexBa2Cu3O7-δ

 XRD and Raman analyses were performed to probe the phase formation and the variation of the normal phonon frequencies of the high temperature superconductor GdBa2Cu3O7-δ upon Ce doping. It was found that in addition to the orthorhombic 123 phase, some nonsuperconducting peaks, which are mainly due to the BaCeO3 secondary phase, are also formed that suppress the superconducting transition tempe...

متن کامل

نقص نقطه ای ابررسانا در بلورهای فوتونی دو بعدی

بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نوری و میکروکاواک ها جذب کرده است. با در نظر گرفتن کاربردهای بسیار وسیع قطعات اپتیکی بدست آوردن بلورهای فوتونی قابل تنظی...

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023